NCE30P30G دیتاشیت

NCE30P30G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30P30G
حجم فایل 75.271 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE30P30G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30P30G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 80W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 81.3nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4222pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 30A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 488.6pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.4mΩ@10V,15A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه